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姓 名: 史宏声
性 别:
职 务:
职 称: 研究员(自然科学)
通讯地址: 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码: 830011
电子邮件: shihs@ms.xjb.ac.cn

简历:

1992.09-1996.07 西南师范大学化学化工学院 化学教育 理学学士

1996.12-1997.07 河南省洛阳市孟津县平乐高级中学 化学教师

1997.09-2000.07 中科院福建物质结构研究所 凝聚态物理 理学硕士

2000.09-2004.01 中科院上海硅酸盐研究所 材料物理与化学 工学博士

2004.03-2007.03 通用电气(ge)中国研究开发中心有限公司 高级科研员

2007.05-2008.11 中国计量学院材料科学与工程学院讲师

2008.11-2013.11 中国计量学院材料科学与工程学院 副教授

2013.01-2013.06 加州理工学院 访问学者

2013.12-2019.10 中国计量大学材料科学与工程学院 教授

2019.11-至今 中科院新疆理化所 材料物理化学研究室 研究员 

主要研究领域及成就:

  擅长块体单晶生长以及光电功能晶体研究,先后获得达到实用级别的labr3:ce、sri2:eu、lacl3:pr、nabi(wo4)2等大尺寸光电功能晶体,发表了多篇论文,其中labr3:ce等晶体研究富有特色。

主要荣誉:

1、2013年获江西省科技进步奖二等奖 奖项名称:40uh-f/40sh-f风力发电机专用磁钢 排名第6

2、2013年获赣州市科技进步奖一等奖奖 项名称:系列风力发电机专用磁钢 排名第6

3、2009年获浙江省科技进步奖二等奖 奖项名称:高工作温度钕铁硼磁体的研制及产业化 排名第8

代表性文章:

[1] hongsheng shi, dingzhong shen, guohao ren, haibing zhang, bo gong, qun deng, growth of nabi(wo4)2 crystal by modified-bridgman method, journal of crystal growth,2002, 240:459-462.

[2] hongsheng shi,* laishun qin, wenxiang chai, kangying shu, the radiation induced colour centers in the nabi(wo4)2 crystal, journal of alloys and compounds, 2009, 475:510-512.

[3] qinhua wei, hongsheng shi,* xiaofeng chen, laishun qin, guohao ren, kangying shu, growth and scintillation properties of the na2w2o7 crystal, journal of crystal growth,2010, 312: 1883-1885.

[4] hongsheng shi,* laishun qin, wenxiang chai, jiayu guo, qinhua wei, guohao ren, kangying shu, the labr3:ce crystal growth by self-seeding bridgman technique and its scintillation properties, crystal growth & design, 2010,10: 4433-4436.

[5] wei qinhua, shi hongsheng*, chai wenxiang, qin laishun, shu kangying, preparation and luminescence properties of the na2w2o7 crystal, chinese physics letter, 2011, vol28 no11: 118104.

[6] hongsheng shi,* wenxiang chai, xiaofeng chen, laishun qin, kangying shu, growth and scintillation properties of the eu2w3o12 crystal, journal of crystal growth,2012, 343:73-76.

[7] zhengguo li, hanbo bao, yanguo ding, hongsheng shi,* laishun qin, kangyin shu, the radiation induced color centers of the labr3:ce crystal, radiation measurements, 2014, vol65:14-17.

[8] qinhua wei, hongsheng shi,* zhenzhen zhou, guanghui liu, zhi chen, laishun qin, kangying shu and qian liu, a study on the structure, luminescence and thermo-stability of polycrystalline gd2si2o7:ce and (gd,la)2si2o7:ce, journal of materials chemistry c, 2017, 5:1443 – 1451

[9] qinhua wei, yiqing liu, yi tao miao, yuxi li, hongsheng shi,* laishun qin, e?ects of lanthanum substitution on the luminescence properties and energy transfer mechanism of gd9.33(sio4)6o2:ce polycrystalline, journal of luminescence, 2018, 194:610-616.

[10] qinhua wei, jia lin, hongsheng shi,* gao tang, wenxiang chai, laishun qin, enhanced transparency of rough surface sapphire by surface vitrifaction process, applied materials & interfaces, 2018, 10:7693-7696.

代表性专利:

1. 史宏声,舒康颖,秦来顺,宣守虎. 一种高纯无水溴化物的制备方法:中国, 专利号:zl 2010 1 0239945.0. 授权公告日期:2013-11-20

2. 史宏声,舒康颖,秦来顺,沈杭燕,柴文祥,郭驾宇,黄岳祥. 一种掺铈氯溴化镧闪烁晶体的制备方法:中国,专利号:zl 20111 0177572.3. 授权公告日期:2015-05-13

研究领域:

块体单晶制备及光电功能晶体研究
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