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1、2020年11月，中国科学院新疆理化技术研究所，固体辐射物理研究室，研究员

2、2014年10月，中国科学院新疆理化技术研究所，固体辐射物理研究室，副研究员

3、2008年7月，中国科学院新疆理化技术研究所，材料物理与化学研究室，助理研究员

主要研究领域：

  文林，博士，研究员，博士生导师，2015年毕业于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位，主要从事光电器件辐射效应研究。主持重点基础研究子课题、国家自然科学基金、预研基金、中科院创新基金、中科院“西部之光”、新疆自治区杰出青年科技人才等项目。发表论文60余篇，授权中国发明专利9项，软件著作权登记6项

主要荣誉：

  获2016年新疆青年科技人才培养工程-优秀青年科技人才、2016年中科院“西部之光”人才培养计划、2017年新疆自治区天山英才计划、2019年新疆天山青年-杰出青年科技人才、2021年中科院“西部之光”人才培养计划等人才项目支持。获2014年、2015年、2018年获新疆维吾尔自治区科技进步一等奖共3项。

代表性文章：

[1] wu p , wen l , xu z q , et al. synergistic effects of total ionizing dose and radiated electromagnetic interference on analog-to-digital converter[j]. nucl sci tech, 2022, 33(3):9.

[2] liu b ,  yudong l i , wen l , et al. analysis of dark signal degradation caused by 1 mev neutron irradiation on backside-illuminated cmos image sensors[j]. chinese journal of electronics, 2021, 30(1).

[3] liu b ,  li y ,  wen l , et al. study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated cmos image sensors[j]. results in physics, 2020, 19:103443.

[4] liu b , li y , wen l , et al. a study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices[j]. radiation effects and defects in solids, 2020:1-11.

[5] zhang x , li y , wen l , et al. displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated cmos image sensors[j]. journal of nuclear ence and technology, 2020(6):1-7.

[6] cai y , wen l , li y , et al. single event effects in pinned photodiode cmos image sensors: set and sel[j]. ieee transactions on nuclear science, 2020, pp(99):1-1.

[7] cai y l , li y d , wen l , et al. heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array[j]. solid state electronics, 2018.

[8] wen lin, li yu-dong, guo qi, wang chao-min. total ionizing dose effect and damage mechanism on saturation output voltage of charge coupled device. fourth seminar on novel optoelectronic detection technology and application(ndt17), spie, vol.10697, 2018.2.20, 10697-174.

[9] wen lin, li yu-dong, zhou dong, feng jie, guo qi, zhang xing-yao, yu xin. degradation of dark signal of ccd exposed to 3mev and 10mev proton. young scientists forum 2017, spie, vol.10710, 2018.3.5, 10710-34

[10]xiang zhang, yu-dong li, lin wen, et al.. radiation effects due to 3 mev proton irradiations on back-side illuminated cmos image sensors[j]. chinese physics letters, 2018.

研究领域： 

1、固体辐射物理

2、微电子学与固体电子学

3、光电器件辐射效应